DDR內存條對比分析

???????? DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM“的意思。DDR可以說是SD RAM的升級版本，DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號，因此并不會造成能耗增加。至于定址與控制信號則與傳統SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。

??????? 圖1就是三代DDR內存的全家照，從上到下分別是DDR3、DDR2、DDR。大家牢牢記住它們的樣子，因為后面的內容會提到這幅圖。

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　　(圖1)DDR3,DDR2,DDR外觀區別

　　防呆缺口：位置不同防插錯

　　圖1紅圈圈起來的就是我們說的防呆缺口，目的是讓我們安裝內存時以免插錯。我們從圖1可以看見三代內存上都只有一個防呆缺口，大家注意一下這三個卡口的左右兩邊的金屬片，就可以發現缺口左右兩邊的金屬片數量是不同的。

　　比如DDR 內存單面金手指針腳數量為92個(雙面184個)，缺口左邊為52個針腳， 缺口右邊為40個針腳;DDR2 內存單面金手指120個(雙面240個)，缺口左邊為64個針腳，缺口右邊為56個針腳;DDR3內存單面金手指也是120個(雙面240個)，缺口左邊為72個針腳，缺口右邊為48個針腳。

　　芯片封裝：濃縮是精華

　　在不同的內存條上，都分布了不同數量的塊狀顆粒，它就是我們所說的內存顆粒。同時我們也注意到，不同規格的內存，內存顆粒的外形和體積不太一樣，這是因為內存顆?！鞍b”技術的不同導致的。一般來說，DDR內存采用了TSOP(Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝)封裝技術，又長又大。而DDR2和DDR3內存均采用FBGA(底部球形引腳封裝)封裝技術，與TSOP相比，內存顆粒就小巧很多，FBGA封裝形式在抗干擾、散熱等方面優勢明顯。

　　TSOP是內存顆粒通過引腳(圖2黃色框)焊接在內存PCB上的，引腳由顆粒向四周引出，所以肉眼可以看到顆粒與內存PCB接口處有很多金屬柱狀觸點，并且顆粒封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，但焊點和PCB的接觸面積較小，使得DDR內存的傳導效果較差，容易受干擾，散熱也不夠理想。

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　　(圖2)一顆DDR現代內存芯片焊接細節-黃色部分為焊接引腳

　　FBGA封裝把DDR2和DDR3內存的顆粒做成了正方形(圖3)，而且體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，內存PCB上也看不到DDR內存芯片上的柱狀金屬觸點，因為其柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，所有的觸點就被“包裹”起來了，外面自然看不到。其優點是有效地縮短了信號的傳導距離。

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　　(圖3)DDR2和DDR3的方形內存顆粒-這是DDR2/DDR3與DDR一大顯著差別

　　速度與容量：成倍提升

　　前面我們教大家如何計算內存帶寬大小，其實我們在選擇內存和CPU搭配的時候就是看內存帶寬是否大于或者等于CPU的帶寬，這樣才可以滿足CPU的數據傳輸要求。

　　而我們從帶寬公式(帶寬=位寬×頻率÷8)可以得知，和帶寬關系最緊密的就是頻率。這也是為什么三代內存等效頻率一升再升的原因之一，其目的就是為了滿足CPU的帶寬。

　　不僅速度上有所提升，而且隨著我們應用的提高，我們也需要更大容量的單根內存，DDR時代賣得最火的是512MB和1GB的內存，而到了DDR2時代，兩根1GB內存就只是標準配置了，內存容量為4GB的電腦也逐漸多了起來。甚至在今后還會有單根8GB的內存出現。這說明了人們的對內存容量的要求在不斷提高。

　　延遲值：一代比一代高

　　任何內存都有一個CAS延遲值，這就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的時間一樣。一般而言，內存的延遲值越小，傳輸速度越快。

　　從DDR、DDR2、DDR3內存身上看到，雖然它們的傳輸速度越來越快，頻率越來越高，容量也越來越大，但延遲值卻提高了，譬如DDR內存的延遲值(第一位數值大小最重要，普通用戶關注第一位延遲值就可以了)為1.5、2、2.5、3;而到了DDR2時代，延遲值提升到了3、4、5、6;到了DDR3時代，延遲值也繼續提升到了5、6、7、8或更高。

　　功耗：一次又一次降低

　　電子產品要正常工作，肯定要有電。有電，就需要工作電壓，該電壓是通過金手指從主板上的內存插槽獲取的，內存電壓的高低，也反映了內存工作的實際功耗。一般而言，內存功耗越低，發熱量也越低，工作也更穩定。DDR內存的工作電壓為2.5V，其工作功耗在10W左右;而到了DDR2時代，工作電壓從2.5V降至1.8V;到了DDR3內存時代，工作電壓從1.8V降至1.5V，相比DDR2可以節省30%～40%的功耗。為此我們也看到，從DDR內存發展到DDR3內存，盡管內存帶寬大幅提升，但功耗反而降低，此時內存的超頻性、穩定性等都得到進一步提高。

　　制造工藝：不斷提高

　　從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高的工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低。譬如DDR內存顆粒廣泛采用0.13微米制造工藝，而DDR2顆粒采用了0.09微米制造工藝，DDR3顆粒則采用了全新65nm制造工藝(1微米=1000納米)。

　　總結

　　對于大多數用戶來說2GB DDR2 800的內存就足夠了，而偏高端一點的電腦使用總容量為4GB的內存就差不多了。