什么叫CCD傳感器？

　　電荷藕合器件圖像傳感器CCD（Charge Coupled Device），它使用一種高感光度的半導體材料制成，能把光線轉變成電荷，通過模數轉換器芯片轉換成數字信號，數字信號經過壓縮以后由相機內部的閃速存儲器或內置硬盤卡保存，因而可以輕而易舉地把數據傳輸給計算機，并借助于計算機的處理手段，根據需要和想像來修改圖像。

　　原理

　　CCD傳感器是一種新型光電轉換器件，它能存儲由光產生的信號電荷。當對它施加特定時序的脈沖時，其存儲的信號電荷便可在CCD內作定向傳輸而實現自掃描。它主要由光敏單元、輸入結構和輸出結構等組成。它具有光電轉換、信息存貯和延時等功能，而且集成度高、功耗小，已經在攝像、信號處理和存貯3大領域中得到廣泛的應用，尤其是在圖像傳感器應用方面取得令人矚目的發展。CCD有面陣和線陣之分，面陣是把CCD像素排成1個平面的器件；而線陣是把CCD像素排成1直線的器件。由于在軍事領域主要用的是面陣CCD，因此這里主要介紹面陣CCD。

　　種類

　　面陣CCD

　　面陣CCD：允許拍攝者在任何快門速度下一次曝光拍攝移動物體。

　　面陣CCD的結構一般有3種。第一種是幀轉性CCD。它由上、下兩部分組成，上半部分是集中了像素的光敏區域，下半部分是被遮光而集中垂直寄存器的存儲區域。其優點是結構較簡單并容易增加像素數，缺點是CCD尺寸較大，易產生垂直拖影。第二種是行間轉移性CCD。它是目前CCD的主流產品，它們是像素群和垂直寄存器在同一平面上，其特點是在1個單片上，價格低，并容易獲得良好的攝影特性。第三種是幀行間轉移性CCD。它是第一種和第二種的復合型，結構復雜，但能大幅度減少垂直拖影并容易實現可變速電子快門等優點。

　　線陣CCD

　　線陣CCD：用一排像素掃描過圖片，做三次曝光——分別對應于紅、綠、藍 三色濾鏡，正如名稱所表示的，線性傳感器是捕捉一維圖像。初期應用于廣告界拍攝靜態圖像，線性陣列，處理高分辨率的圖像時，受局限于非移動的連續光照的物體。

　　三線傳感器CCD

　　三線傳感器CCD：在三線傳感器中，三排并行的像素分別覆蓋RGB濾鏡，當捕捉彩色圖片時，完整的彩色圖片由多排的像素來組合成。三線CCD傳感器多用于高端數碼相機，以產生高的分辨率和光譜色階。

　　交織傳輸CCD：這種傳感器利用單獨的陣列攝取圖像和電量轉化，允許在拍攝下一圖像時在讀取當前圖像。交織傳輸CCD通常用于低端數碼相機、攝像機和拍攝動畫的廣播拍攝機。

　　全幅面CCD

　　全幅面CCD：此種CCD具有更多電量處理能力，更好動態范圍，低噪音和傳輸光學分辨率，全幅面CCD允許即時拍攝全彩圖片。全幅面CCD由并行浮點寄存器、串行浮點寄存器和信號輸出放大器組成。全幅面CCD曝光是由機械快門或閘門控制去保存圖像，并行寄存器用于測光和讀取測光值。圖像投攝到作投影幕的并行陣列上。此元件接收圖像信息并把它分成離散的由數目決定量化的元素。這些信息流就會由并行寄存器流向串行寄存器。此過程反復執行，直到所有的信息傳輸完畢。接著，系統進行精確的圖像重組。

　　結構

　　CCD是由許多個光敏像元按一定規律排列組成的。每個像元就是一個MOS電容器（大多為光敏二極管），它是在P 型Si襯底表面上用氧化的辦法生成1層厚度約為1000A～15 00A的SiO2，再在SiO2表面蒸鍍一金屬層（多晶硅），在襯底和金屬電極間加上1個偏置電壓，就構成1個MOS電容器。當有1束光線投射到MOS電容器上時，光子穿過透明電極及氧化層，進入P型Si襯底，襯底中處于價帶的電子將吸收光子的能量而躍入導帶。光子進入襯底時產生的電子躍遷形成電子－空穴對，電子－空穴對在外加電場的作用下，分別向電極的兩端移動，這就是信號電荷。這些信號電荷儲存在由電極形成的“勢阱”中。

　　MOS電容器的電荷儲存容量可由下式求得：

　　QS=Ci×VG×A

　　式中： QS是電荷儲存量；

　　Ci是單位面積氧化層的電容； VG是外加偏置電壓；

　　A是MOS電容柵的面積。

　　由此可見，光敏元面積越大，其光電靈敏度越高。1個3相驅動工作的CCD中電荷轉移的過程。

　?。╝）初始狀態；（b）電荷由①電極向②電極轉移；（c）電荷在①、②電極下均勻分布；

　?。╠）電荷繼續由①電極向②電極轉移；（e）電荷完全轉移到②電極；（f）3相交疊脈沖。