多晶硅發射極晶體管,多晶硅發射極晶體管是什么意思

多晶硅發射極晶體管,多晶硅發射極晶體管是什么意思

多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，如這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。

多晶硅是用于太陽能電池、半導體、液晶顯示屏等方面的重要材料..而摻雜的多晶硅膜則可用作雙極晶體管的發射極和MOS器件的柵極.用重摻雜多晶硅作為CMOS晶體管的柵極和NPN晶體管的發射極，可以獲得較薄的結深，減小柵極和發射極的寄生參數，從而提高器件的速度性能。采用薄柵氧化層（35 nm）和柵與源漏的自對準結構，減小器件的寄生參數，獲得更高性能的CMOS晶體管。

獲得多晶硅膜的方法很多,在半導體器件和集成電路工藝中,低壓氣相淀積(LPCVD)是一種重要的方法.LPCVD是用加熱的方式在低壓(50-133Pa)條件下使氣態化合物在基片表面反應并淀積,形成穩定固體薄膜如多晶硅、氮化硅、氧化硅等，廣泛應用于半導體集成電路、電力電子、光電子及MEMS等行業的生產工藝中。

采用多晶硅發射極雙極工藝，可以提高晶體管的電流增益，減小管子上升和下降時延，改善其頻率特性。而采用離子注入砷摻雜多晶硅作為砷摻雜發射極擴散源技術改善晶體管性能。國外現代高頻和微波功率晶體管已普遍采用多晶硅發射極來提高其性能和可靠性. 結果表明多晶硅發射極晶體管具有較高的發射效率，高的電流能力，改善了EB擊穿和CB擊穿。上圖是集成電路中的多晶硅發射極晶體管的結構圖.