緩沖電路的概念
緩沖電路（SnubberCircuit）又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用于半控型器件的保護，而且在全控型器件（如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等）的應用技術中，起著更重要的作用。
緩沖電路的基本結構
緩沖電路的功能有抑制和吸收兩個方面，因此圖1（a）是這種電路的基本結構，串聯的LS用于抑制di/dt的過量，并聯的CS用于吸收器件上的過電壓，即器件在關斷時CS通過快速二極管DS充電，吸收器件上出現的過電壓能量，由于電容電壓不會躍變，限制了重加dv/dt。當器件開通時CS上的能量經RS泄放。對于工作頻率較高、容量較小的裝置，為了減小損耗，圖1（a）中的RLCD電路，可以簡化為圖1（b）的形式。裝置由RCD網絡構成的緩沖電路普遍用于GTR、GTO、功率MOSFET及IGBT等電力電子器件的保護。
圖1
圖2所示的幾種緩沖電路是上述基本RCD緩沖電路的簡化或演變。如圖所示，它們既可用于逆變器中IGBT模塊的保護，也適用于其他電力電子器件的緩沖保護，但其性能有所不同。
圖2
圖2（a）是最簡單的單電容電路，適用于小容量的IGBT模塊或其他容量較小的器件，但由于電路中無阻尼元件，容易產生振蕩，為此CS中可串入RS加以抑制，這種RC緩沖電路在晶閘管的保護中已用得很普遍。
圖2（b）是把RCD緩沖電路用于由兩只IGBT組成橋臂的模塊上，此電路比較簡單，但吸收功能較單獨使用RCD時略差，多用于小容量元件的逆變器橋臂上。有時還可以把（a）、（b）兩種緩沖電路并聯使用以增強緩沖吸收的功能。
圖2（c）是RS交叉連接的緩沖電路，當器件關斷時，CS經DS充電，抑制dv/dt；當器件開通時，CS經電源和RS放電，同時有部分能量反饋回電源，這種電路對大容量的器件，例如400A以上的IGBT模塊比較適合。
圖2（d）是大功率GTO逆變橋臂上的非對稱RLCD緩沖電路。圖中限流電感LS經過DS和RS釋放磁場能量。GTO關斷時，CS經DS吸收能量并經RS把部分能量反饋到電網上去，因此損耗較小，適用于大容量的GTO逆變器。其中CS具有吸收電能和電壓箝位雙重功能，且效率較高。
圖2（e）是三角形吸收電路，其特點是：（1）三只電容器之間幾乎不需要連接線，所以寄生電感極小。（2）在電力電子器件工作過程中每只電容器都參與工作，電容器利用率高。（3）電路損耗較小。
緩沖電路引線中的雜散電感必須限制到最小，以防止電力電子器件在關斷時出現電壓尖峰，并消除雜散電感與緩沖電路中CS構成諧振回路所產生的振蕩。所以緩沖電路中的R、C、D等元件也應力求采用無感元件。
緩沖電路的工作原理
緩沖電路的基本工作原理是利用電感電流不能突變的特性抑制器件的電流上升率，利用電容電壓不能突變的特性抑制器件的電壓上升率。圖示以GTO為例的一種簡單的緩沖電路。其中L與GTO串聯，以抑制GTO導通時的電流上升率dI/dt，電容C和二極管D組成關斷吸收電路，抑制當GTO關斷時端電壓的上升率dV/dt，其中電阻R為電容C提供了放電通路。緩沖電路有多種形式，以適用于不同的器件和不同的電路。