在光敏電阻兩端的金屬電極之間加上電壓，其中便有電流通過，受到適當波長的光線照射時，電流就會隨光強的增加而變大，從而實現光電轉換。光敏電阻沒有極性，純粹是一個電阻器件，使用時既可加直流電壓，也可以加交流電壓。
光敏電阻是采用半導體材料制作，利用內光電效應工作的光電元件。它在光線的作用下其阻值往往變小，這種現象稱為光導效應，因此，光敏電阻又稱光導管。
結構原理
光敏電阻是用硫化隔或硒化隔等半導體材料制成的特殊電阻器，表面還涂有防潮樹脂，具有光電導效應。光敏電阻的工作原理是基于內光電效應，即在半導體光敏材料兩端裝上電極引線，將其封裝在帶有透明窗的管殼里就構成光敏電阻。為了增加靈敏度，兩電極常做成梳狀。
半導體的導電能力取決于半導體導帶內載流子數目的多少。當光敏電阻受到光照時，價帶中的電子吸收光子能量后躍遷到導帶，成為自由電子，同時產生空穴，電子—空穴對的出現使電阻率變小。光照愈強，光生電子—空穴對就越多，阻值就愈低。當光敏電阻兩端加上電壓后，流過光敏電阻的電流隨光照增大而增大。入射光消失，電子—空穴對逐漸復合，電阻也逐漸恢復原值，電流也逐漸減小。
光敏電阻對光線十分敏感，其在無光照時，呈高阻狀態，暗電阻一般可達1.5MΩ。當有光照時，材料中激發出自由電子和空穴，其電阻值減小，隨著光照強度的升高，電阻值迅速降低，亮電阻值可小至1KΩ以下。
光敏電阻器的光照特性在大多數情況下是非線性的，只有在微小的范圍內呈線性，光敏電阻器的電阻值有較大的離散性（電阻變化、范圍大無規律）。
光敏電阻器的靈敏度是指光敏電阻器不受到光照是的電阻值（暗阻）和受到光照時電阻值（亮阻）的相對變化值。光敏電阻的暗阻和亮阻間阻值之比約為1500：1，暗阻值越大越好，使用時給其施加直流或交流偏壓，MG型光敏電阻器適用于可見光。其主要用于各種自動控制電路、光電計數、光電跟蹤、光控電燈、照相機的自動暴光及彩色電視機的亮度自動控制電路等場合。
它的工作原理是：
用于制造光敏電阻的材料主要是金屬的硫化物、硒化物和碲化物等半導體。通常采用涂敷、噴涂、燒結等方法在絕緣襯底上制作很薄的光敏電阻體及梳狀歐姆電極，然后接出引線，封裝在具有透光鏡的密封殼體內，以免受潮影響其靈敏度。光敏電阻的原理結構如圖所示。
在黑暗環境里，它的電阻值很高，當受到光照時，只要光子能量大于半導體材料的禁帶寬度，則價帶中的電子吸收一個光子的能量后可躍遷到導帶，并在價帶中產生一個帶正電荷的空穴，這種由光照產生的電子—空穴對增加了半導體材料中載流子的數目，使其電阻率變小，從而造成光敏電阻阻值下降。光照愈強，阻值愈低。入射光消失后，由光子激發產生的電子—空穴對將逐漸復合，光敏電阻的阻值也就逐漸恢復原值。
在光敏電阻兩端的金屬電極之間加上電壓，其中便有電流通過，受到適當波長的光線照射時，電流就會隨光強的增加而變大，從而實現光電轉換。光敏電阻沒有極性，純粹是一個電阻器件，使用時既可加直流電壓，也可以加交流電壓。
光敏電阻是利用半導體光電導現象來探測光信號的器件。它可以是單晶薄片、多晶薄片、燒結成的多晶薄膜、真空蒸發薄膜、化學淀積薄膜或濺射膜等。
光敏電阻又稱為光導，幾乎都是用半導體材料制成。光敏電阻的結構和接線圖如圖所示。
光敏電阻在受到光的照射時，由于內光電效應使其導電性能增強，電阻值下降，所以流過負載電阻RL的電流及其兩端電壓也隨之變化。光線越強，電流越大，阻值也變得越低。當光照停止時，光電效應消失，電阻恢復原值。若把光敏電阻接成閉合回路，通過改變光照的強度就可改變回路中的電流大小，可將光信號轉換為電信號。
光敏半導體材料有硅、鍺、硫化鎘、硫化鉛、銻化銦、硒化鎘等。對于不具備發光特性的純半導體可以加入適量雜質使之產生光電效應特性。用來產生這種效應的物質由金屬的硫化物、硒化物、碲化物等組成，如硫化鎘、硫化鉛、硫化鉈、硫化鉍、硒化鎘、硒化鉛、碲化鉛等。光敏電阻應用取決于它的一系列特性，如暗電流、光電流、光敏電阻的伏安特性、光照特性、光譜特性、頻率特性、溫度特性以及光敏電阻的靈敏度、時間常數和最佳工作電壓等。