一顆功率IC:BCD工藝集成高壓元件,面積還節省40倍!Power-SOI卡位48V、FuSa等汽車/工業新需求
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)Power-SOI主要構造為單晶頂層硅片(mono-crystal top material),中間氧化埋層(buried oxide)及底層的硅基底(silicon base)。由于Power-SOI晶圓加厚Buried Oxide結構,能夠有效克服高電壓可能穿透元件的問題,實現功率元件使用上的穩定性。因此,Power-SOI主要應用于BCD(BIPOLAR-CMOS-DMOS)功率集成電路制造技術中的高壓元件集成。據法國半導體材料供應商Soitec的內部估算,在Power-SOI汽車領域,2021年大概每臺車里面有200mm2面積的用量。預
發表于 08-25 08:29 ? 7904次 閱讀