SAMSUNG NAND三星宣布32奈米制程TLC芯片量產
在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程競局, 三星電子(Samsung Electronics),近期宣布32奈米制程TLC芯片量產,一舉領先目前停留在43奈米制程的東芝,至于英特爾(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片將于2009年底量產。內存業者表示,2010年光是三星和東芝所掀起TLC應用,預計在低階隨身碟和記憶卡市場將會有70~80%芯片被TLC產品替換。
三星宣布量產TLC芯片以32奈米制程切入,令業界相當意外,目前看來三星在30奈米制程世代系采分進合擊策略,32奈米制程生產TLC芯片,35奈米制程則生產MLC芯片,顯見這次三星對于一舉追上東芝制程技術,在臺面下已醞釀許久。
至于英特爾和美光陣營方面,日前亦信誓旦旦宣布,將在2009年底量產TLC芯片,但業界透露,該陣營內部對于是否轉入TLC世代,看法仍分歧,部分人員認為現在應集中資源進入20奈米制程世代,而非去作TLC這種只能用在低階產品的技術,等到20奈米制程量產后,要再進行制程微縮難度增加時,再去生產TLC產品。
根據英特爾和美光內部規畫,2010年初將量產20奈米制程產品,屆時應會再去考量TLC芯片生產時程,因為這樣規畫仍可以在技術上領先三星和東芝,但不需要現在就急著去淌TLC技術渾水。此外,業界亦傳出英特爾和美光陣營仍可能搶先量產TLC芯片,但暫時只供給美光旗下記憶卡公司Lexar使用,暫不會大量對外販售。
海力士(Hynix)方面,目前TLC制程技術還未成熟,由于其在NAND Flash市場影響力已逐漸降低,因此,將難以影響大局,目前海力士主流制程將由41奈米轉移至35奈米。內存業者認為,三星和東芝TLC芯片量產后,2010年低階快閃記憶卡和隨身碟約有70~80%芯片都會被TLC芯片替換,對于NAND Flash市場將會是另一波沖擊,未來隨身碟和記憶卡勢必越來越便宜,但NAND Flash這樣降價趨勢,對于固態硬盤(SSD)市場卻是完全沒幫助,因為TLC芯片成本雖然較MLC芯片大幅降低,但效能亦同步銳減,無法應用在SSD產品上。
值得注意的是,隨著TLC時代來臨,三星在4GB和8GB小型記憶卡microSD供貨量可望倍增,再次奪回microSD供應龍頭寶座,其中,在4GB產品上,三星只要采用1顆32Gb TLC芯片,勝過競爭對手要用2顆16Gb芯片堆疊,可避免堆疊造成良率流失,而在8GB容量記憶卡上,則可用2顆32Gb TLC芯片,因此,預計8GB小型記憶卡供貨量會倍增,將整個microSD市場推至高容量世代,終端消費者將是最大受益者。
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