瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率，在低壓低功率中又可分為I型（CC型）和II型（CT型）。
I型（CC型）特點是體積小， 損耗低，電容對頻率，溫度穩定性都較高，常用于高頻電路。
II型（CT型）特點是體積小，損耗大，電容對溫度頻率，穩定性都較差，常用于低頻電路。
CC1型圓片高頻瓷介電容
適用于諧振回路及其他電路做溫度補償，耦合，隔直使用。損耗：《0.025絕緣電阻：10000mohm 試驗電壓：200v
允許偏差：5p（+-0.5p） 6-10p（+-1P） 10p以上（J，K，M）溫度系數：-150--- -1000PPM/C環境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96%
瓷介電容器又稱陶瓷電容器，它以陶瓷為介質，涂敷金屬薄膜（一般為銀）經高溫燒結而形成電極，再在電極上焊上引出線，外表涂以保護磁漆，或用環氧樹脂及酣自主樹脂包封，即成為瓷介電容器。
作為資介電容器介質的陶瓷材料是由各種原料按照不同的配方經高溫燒結后制成的。陶程材料配方不同，它的電性能也不-樣。利用這一點，就可以制造出各種不同介電常數和不同溫度系數的電容器，以滿足不同的使用要求。一起跟隨小編進入本文的主題吧。
瓷介電容器常用的陶瓷介質材料有以下三類：
Ⅰ型電容器陶瓷：它的介電常數一般小于100 ，電氣性能穩定，基本上不隨溫度、電壓、時間的改變而變化，屬超穩定、低損耗的電容器介質材料，常用于對穩定性、可靠性要求較高的高頻、超高頻、甚高頻的場合。
Ⅱ型電容器陶瓷：它的介電常數一般大于1000 ，電氣性能較穩定，適用于隔直、耦合、旁路和潔、波電路及對可靠性要求較高的中、低頻場合。因型電容器陶盟：它具有很高的介電常數，廣泛應用于對容量穩定性和損耗要求不高的場合。
以鐵酸頓為主的陶瓷材料為介質的電容器被稱為獨石瓷介電容器，它由多層片狀陶瓷膜疊起來燒結而成。由于它的每片陶盜膜很薄，因此具有容量大、體積小的特點。
瓷介電容器具有以下特點：
1.由于電容器的介質材料為陶哇，所以耐熱性能良好，不容易老化。
2.瓷介電容器能耐酸堿及鹽類的腐蝕，抗腐蝕性好。
3.低頻陶瓷材料的介電常數大，因而低頻瓷介電容器的體積小、容量大。
4.絕緣性能好，可制成高壓電容器。
5.高頻陶瓷材料的損耗角正切值與頻率的關系很小，因而在高頻電路可選用高頻監介電容器。
6.價格便宜，原材料豐富，適宜大批量生產。
7.盟介電容器的電容量較小，機械強度較低。