深圳市浮思特科技有限公司

動態

• 發布了文章 2024-03-19 11:26

  英偉達發布最強AI加速卡GB200，開啟新一代AI圖形處理時代

  

  英偉達正式發布了其最新、也是迄今為止最強大的AI加速卡——GB200。這一重大發布標志著英偉達在AI圖形處理領域邁入了一個新的里程碑。

  AI AI芯片 加速卡 英偉達

  552瀏覽量

• 發布了文章 2024-03-18 14:02

  特斯拉發布峰值功率升級版Powerwall 3，邁向能源獨立未來

  

  光能源的不穩定性給持續能源生產帶來了挑戰，需要創新的解決方案來高效地存儲和管理電力，以實現能源的可靠利用。

  儲能系統 新能源 特斯拉

  249瀏覽量

• 發布了文章 2024-03-18 14:00

  電源管理芯片核心技術讓設備更智能、更高效

  

  本文將深入探討電源管理芯片的作用、工作原理、技術特點、應用場景以及未來發展方向，揭示其在現代電子設備中的核心地位。

  電子設備 電源管理芯片 電源芯片 芯片

  599瀏覽量

• 發布了文章 2024-03-15 16:36

  單片機抗干擾措施有哪些？

  

  電磁干擾(EMI)問題日益成為影響單片機穩定性與可靠性的主要障礙。因此，探討和實施有效的抗干擾措施對于提高單片機系統的性能至關重要。下面為大家簡單介紹一種單片機抗干擾措施

  單片機 電子產品 電源

  608瀏覽量

• 發布了文章 2024-03-15 16:31

  英飛凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1產品系列推動汽車和工業解決方案的發展

  

  英飛凌最近發布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)等拓撲結構進行優化的工業級和車規級SiCMOSFET。這些MOSFET廣泛適用于工業領域的典型應用，如電動汽車充

  MOSFET 汽車 英飛凌

  367瀏覽量

• 發布了文章 2024-03-14 11:56

  三星澄清：未采用MR-MUF工藝，持續創新引領HBM芯片技術

  

  近期，針對三星是否在其高帶寬內存(HBM)芯片生產中采用了MR-MUF(Magnetic RAM based Multi-Level Unified Memory Framework)工藝的討論在科技界引發了廣泛關注。

  HBM 三星 芯片技術

  216瀏覽量

• 發布了文章 2024-03-14 11:54

  半導體器件電荷載流的控制：柵極技術解析

  

  在電子工程的世界里，柵極是個魔法般的存在，它就像電路的指揮官，靠著一個個小小的動作就能控制電荷的流動，讓整個電子系統跳動起來

  半導體器件 柵極 電荷

  240瀏覽量

• 發布了文章 2024-03-13 14:26

  日立能源與TransnetBW攜手：超級電容器引領電網新風向

  

  日立能源與TransnetBW合作，通過超級電容器促進可再生能源增長和電網彈性。雖然可再生能源具有非常好的環境效益，但其間歇性給電網整合帶來了挑戰。隨著人們注意力轉向可再生能源，保持電網穩定性成為最緊要的問題。電網不穩定的后果包括停電、設備損壞和基本服務中斷，因此需要加強電網穩定措施和對彈性基礎設施的投資。日立能源公司與德國TransnetBW簽署了一份重要

  可再生能源 日立 電容器 電網 超級電容器

  1k瀏覽量

• 發布了文章 2024-03-13 14:21

  什么是單片機：功能強大、應用廣泛的集成電路芯片

  

  單片機（MicrocontrollerUnit，MCU）是一種集成電路芯片，它包含了中央處理器（CPU）、隨機存取存儲器（RAM）、MCP2515-I/ST只讀存儲器（ROM）、輸入輸出端口（I/O）和定時器計數器等部件，可以通過編程實現不同的功能。單片機廣泛應用于電子設備、自動控制、通訊設備、汽車電子、醫療設備等領域。一、術語介紹1.中央處理器（CPU）：

  mcu ROM 單片機 集成電路

  628瀏覽量

• 發布了文章 2024-03-12 15:34

  一文讀懂何為IGBT

  

  IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種高效能的功率半導體元件，在能源轉換和控制領域的作用日益凸顯。01作為能量轉換與管理的核心，IGBT結合了MOSFET的輸入阻抗高和GTR的低飽和壓降的特點，其獨特的工作原理使其在高頻、高效率、高電流環境下具有卓越表現。IGBT廣泛應用于電動汽車、軌道交通、風力發電、光伏逆變器、工業驅動以及家用電器等眾多領域。與傳統的晶體管

  IGBT MOSFET 半導體

  805瀏覽量