FF200R17KE4英飛凌IGBT模塊
FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止（fieldstop），這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優勢。該技術可使靜態和動態損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產品的功率范圍。硅片結溫可高達175℃，運行溫度可達150℃。低損耗，FF150R12KS4 IGBT模塊具有低EMI噪聲，高可靠性，高運行結溫等優點。主要應用在100KW光伏逆變器，電機驅動，電源等領域。
技術參數：
? Ic(A),Tc=80℃： 200
? Vce(sat),Max(V)： -
? Ton(us)： -
? Toff(us)： -
? Rth(j-c),K/W： -
? Pc(W): -
? 封裝: 62mm
? 電路結構: 半橋
典型應用：
? 大功率變流器
? 電機傳動
? UPS系統
? 風力發電機
電氣特性：
? 提高工作結溫 Tvj op
? 低 VCEsat
? 無與倫比的堅固性
? VCEsat帶正溫度系數
機械特性：
? 封裝的 CTI > 400
? 高爬電距離和電氣間隙
? 絕緣的基板
? 標封裝
? 4KV 交流 1分鐘 絕緣
